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pecvd石墨舟飽和的簡述
jcadmin   |   2020-08-18 10:29:26

pecvd石墨舟飽和的簡述


石墨舟不同飽和方式的差異

飽和時(shí)使用假片 飽和充分:

1、生產(chǎn)成本高;

2、飽和環(huán)境和實(shí)際鍍膜環(huán)境相同:硅片的存在會形成更大面積的電場,產(chǎn)生更多等離子體,石墨舟內(nèi)壁上沉積的氮化硅膜更充分。

飽和時(shí)不使用假片 飽和不夠充分:

1、生產(chǎn)成本低;

2、飽和程度不充分,前期鍍膜均勻性較差,色差片較多。


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